Prezentace Micronu zmiňuje nejen 8Gb čipy s maximální propustností 14 Gb/s, ale také pokročilejší varianty s hustotou 16 Gb a propustností 16 Gb/s. V tiskové zprávě se Micron dokonce chlubí inženýrským vzorkem s rychlostí 20 Gb/s, čímž by v propustnosti překonal Samsung. Jakkoli jsou to zajímavé novinky, takové čipy zatím nejsou ve výrobě, takže raději počítejme pouze s variantou 8 Gb + 12–14 Gb/s, která vstoupila do masové produkce, a můžeme ji tak brzy očekávat v reálných produktech. Ideálně již v nadcházející generaci grafických karet.
S radostí si tedy v naší tabulce sjednotíme celý řádek stavu na „v produkci“.
Přehled výrobců GDDR SDRAM a jejich portfolio | |||||||||||
Samsung GDDR6 | SK Hynix GDDR6 | Micron GDDR6 | GDDR5 | ||||||||
Kapacita na čip | 2 GB (16 Gb) | 1 GB (8 Gb) | 1 GB (8 Gb) | 1 GB (8 Gb) | |||||||
Propustnost na pin (Gb/s) | 18 | 10 | 12 | 12 | 14 | 12 | 13 | 14 | 8 | ||
Propustnost čipu (GB/s) | 72 | 40 | 48 | 48 | 56 | 48 | 52 | 56 | 32 | ||
Napětí (V) | 1,35 | 1,25 | 1,35 | 1,25 | 1,35 | 1,35 | 1,35-1,55 | ||||
Stav | v produkci | v produkci | v produkci | v produkci |
Od GDDR6 očekáváme další zrychlení propustnosti paměťového subsystému. Mezikrok v podobě pamětí GDDR5X přinesl asi 35 % nárůst oproti GDDR5 (při stejné konfiguraci), nové čipy GDDR6 by měly přitom propustnost i více než zdvojnásobit, a to při menší energetické náročnosti než stávající generace.
Srovnání generací GDDR SDRAM | ||||
GDDR6 (Samsung) | GDDR6 (Micron/Hynix) | GDDR5X | GDDR5 | |
Šířka sběrnice | 256bit | 256bit | 256bit | 256bit |
Propustnost na pin (Gb/s) | 18 | 14 | 11 | 8 |
Celková kapacita (GB) | 16 | 8 | 8 | 8 |
Výsledná propustnost (GB/s) | 576 | 448 | 352 | 256 |